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2014年12月5日 中文标准名称： 工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法. 英文标准名称：Methods for chemical analysis of silicon
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2021年11月17日 碳化硅中主要杂质元素的存在形式. Ceramics International ( IF 5.2 ) Pub Date : 2021-09-10 , DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.09.095. Dong Feng 1, 2 , Zhaobo Qin 1,
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2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及
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2023年6月12日 用含有硝酸、氢氟酸或者硝酸/氢氟酸和双氧水的提取液扫描提取碳化硅晶片表面的痕量金属杂质， 使其被充分收集到提取液中形成扫描溶液的方法。 背景噪声
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2019年11月22日 本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分析，其中铝、钒的浓度均大 于1×10 15 atoms/cm 3 。 其它杂质的检测可参照本标准。
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2023年11月4日 碳化硅 （英语： silicon carbide，carborundum ），化学式SiC，俗称 金刚砂 ，宝石名称 钻髓 ，为 硅 与 碳 相键结而成的 陶瓷 状 化合物 ，碳化硅在大自然以 莫
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2022年7月19日 碳化硅中金属杂质的第一性原理研究：结构、磁性和电子特性. Frontiers in Materials ( IF 3.2 ) Pub Date : 2022-07-19 , DOI: 10.3389/fmats.2022.956675. Lin Zhang,
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2015年10月29日 本实验利用高频红外碳硫分析仪对碳化硅中游离碳和SiC的分析进行了2．1灼烧器皿的选择探讨，通过测定总碳量和SiC中的碳，从而计算出碳化硅中除含有游离碳和SiC外，还含有游离碳和SiC的含量。本文探讨了灼烧温度、灼量SiO。，A1：0。
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2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的形式覆盖在SiC颗粒表面。. Fe杂质以Fe 2 O 3、Fe的形式存在于SiC颗粒周围x Si y、Fe x Si y Ti z和Fe x Al y Si z相。. 杂质元素 ...
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2021年10月8日 3.1 起草阶段. 本标准的制定工作由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。. 《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》项目正式立项后,起草单位即组织成立了标准起草工作组,讨论并形成了制定工作计划及任务分工。. 2020 年9月,起草工作组完成国家标
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2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...
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2021年6月3日 本标准做了如下编辑性修改: ——— 《 》。. 将标准名称修改为 普通磨料 碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。. ( / ) 。. 本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、 、 本标准起草单位 郑州磨料磨具磨
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2024年4月10日 德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ...
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2014年5月27日 游离硅的存在不可避免地影响碳化硅的性能，因此游离总硅含量是碳化硅工业中常规检测项目。. 目前硅含量的测定一般采用化学法——硅钼蓝法 [6–9]。. GB／T3045–2003 [10]用分光光度法测试游离总硅含量，但该方法存在一些问题： (1)无法确定测得的游离总硅是 ...
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2020年10月14日 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.pdf,国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（征求意见稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电 场、高热导 ...
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2011年9月22日 用相对灵敏度因子的方法，分析痕量杂质钒在碳化硅表面的浓度随深度变化的情况。在Sn“S完成成份深度分析过程中，对一次束流强、轰击时间、二次离子收集面积、二次离子种类、二次离子能量范围和质量分辨率等实验参数进行研究，建立了实验分析方法。
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2011年3月22日 分析方法本方法为质量分析法,适用于炭素行业碳化硅含量大于10%产品的碳化硅含量分析。. 方法原理将试样灰化除碳,加入硝酸、硫酸、氢氟酸,之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四氟化硅除掉,反应式如下。. 之后,再加入盐酸溶解杂质,经过残留物质为碳化硅,
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2019年3月13日 碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。2、清洗烘干铂皿。将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20，然后于烘箱中干燥，取出放入干燥器内冷却备用。
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2014年12月5日 中文标准名称： 工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法. 英文标准名称：Methods for chemical analysis of silicon metal―Part 4：Determination of impurity contents―Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method. 标准状态： 现行.
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碳化硅（SiC）因其耐热性和硬度而被用作磨料和耐火材料。由于在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。使用氢氟酸法的传统测量（湿法，符合JIS）是危险的，测量前需要三天或更长时间制备样品。
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碳化硅的分解温度还受到杂质含量的影响。杂质是指晶格中的不纯物质，碳化硅中常见的杂质有氮、氧、铝等。这些杂质的存在会改变碳化硅的晶体结构和化学 性质，从而影响其分解温度。研究表明，杂质含量越高，碳化硅的分解温度越低。因此，降低 ...
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碳化硅化学分析方法. 计算结果精确到0.01。. 允许误差按表1的规定。. 试样经氢氟酸-硝酸-硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；F400以细的微粉只用氢氟酸处理，用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量（F400以细的微粉需 ...
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2020年9月24日 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场 ...
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碳化硅中游离碳含量受多种因素影响，主要包括：原料的含碳量、灼烧温度和时间、冷却速度等。. 此外，碳化硅的物理和化学性质也会影响游离碳含量。. 综上所述，碳化硅中游离碳含量的测定方法为灼烧法，其含量影响因素多样。. 碳化硅中游离碳的含量测定 ...
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2023年7月17日 摘 要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ...
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碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液 ...
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